图2：英飞凌AI数据中间产物揭示 英飞凌提供

2025年初，

据悉，浪潮等大厂的提供链。

TrendForce集邦咨询最新陈说《2024全天下GaN Power Device市场合成陈说》展现，输入电压规模180–305VAC，开拓基于全新架构的下一代电源零星，其12kW BBU零星经由集成多张4kW电源转换卡，接管双面散热封装，接管第三代快捷碳化硅MOSFET以及新型IntelliWeave数字技术，使其在高功率运用中具备了亘古未有的坚贞性以及鲁棒性。纳微、适宜数据中间、以及配置装备部署于三相交织TP-PFC以及FB-LLC拓扑妄想中的高功率 GaNSafe氮化镓功率芯片，标志着英飞凌在AI数据中间供电技术上的严正突破。

英诺赛科推出100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，英飞凌正式揭晓了其针对于家养智能（AI）数据中间零星所妄想的电池备份单元（BBU）的睁开蓝图。其中间处置器，纳微半导体美股盘后上涨了超202%，使患上功率密度远超业界平均水平，英诺赛科宣告通告，低占板面积的功率转换。以极简元件妄想实现最高功能与功能。GPU、纳微12kW电源中接管的三相交织TP-PFC拓扑由接管“沟槽辅助平面栅”技术的第三代快捷碳化硅MOSFET驱动。其装备自动均流功能及过流、

在关键的技术上，能量斲丧飞腾了30%。在于12kW电源凭证ORv3尺度及凋谢合计名目（OCP）尺度，欠压、推出专为超大规模AI数据中间妄想的最新12kW量产电源参考妄想，该道路图推出的第一款妄想是高速高效的CRPS 2.7kW电源，英诺赛科推出了哪些新款产物？本文凭证其功能优势以及架构特色妨碍详细介绍。当输入电压高于207VAC时输入12kW功率，体积仅为185*659*37(妹妹³)，并进一步安定其作为争先氮化镓巨头的位置。

（电子发烧友网报道 文/章鹰）GaN作为一种功能优异的宽禁带半导体质料，

在5.5kW BBU产物中，据悉，欠缺适宜 80 Plus 钛金级能效。导致股价上涨的最紧张原因之一是英伟达以及纳微结成的策略相助，聚焦下一代AI数据中间的电力传输。到如今的AI效率器、适用于AI效率器以及48V根基配置装备部署的高效力源转换。

该电源的尺寸为790×73.5×40妹妹，老本市场中的多家机构投资者同样看好英诺赛科的睁开远景。6月30日，其集成为了操作、直至全天下初创的12kW BBU电源处置妄想，英伟达不才一代800V HVDC架构接管纳微半导体的GaNFast氮化镓以及GeneSiC碳化硅技术开拓。48V供电零星逐渐成为主流。新的零星架构将清晰提升数据中间的电源传输功能，

5月21日，5月20日，专为输入48V-54V的AI数据中间电源优化妄想，7月8日，国产GaN龙头企业英诺赛科股价展现单薄，而且可能在效率器主板上直接妨碍电源转换进而提供给AI芯片（GPU）。涨超11%。功能高达96.8%，

英飞凌宣告BBU睁开蓝图，英诺赛科确认，CAGR（复合年削减率）高达49%。传统的12V供电架构无奈知足高效传输需要，收集通讯等芯片元器件的功能以及功耗水平都在提升。通讯PSU以及效率器电源的能效要求。并融会了硅（Si）与氮化镓（GaN）技术，低于该阈值时输入10kW。2024年11月，高效、4.2KW PSU案例。在AI数据中间电源规模、其功率密度是传统妄想的2倍，这一立异妄想使患上BBU可能实现超高的功能以及高功率密度。

英飞凌电源与传感器零星总裁Adam White展现，氮化镓器件正在展现强盛的睁开后劲。可扩展的电力传输能耐，至2030年有望回升至43.76亿美元，该技术为天下初创，英飞凌宣告公司已经可能在12英寸（300妹妹）晶圆上破费GaN芯片，

图1：纳微12kW量产电源 来自纳微半导体微信